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1c 纳米内存竞争:美光将引入钼、钌材料

作者:钨钼云商  发布时间:2024-02-04  点击量:503


IT之家2 月 3 日消息,根据韩媒 The Elec 的报道,DRAM 内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代,也就是 1c nm 工艺引入更多新技术。

IT之家注:1c nm 世代即第六个 10+ nm 世代,美光也称之为 1γ nm 工艺。目前最先进的内存为 1b nm 世代,三星称其 1b nm 为 12nm 级工艺。

分析机构 TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在近日的一场研讨会上表示,美光将在 1c nm 节点率先引入钼(Mo,读音 mù)和钌(Ru,读音 liǎo)。这两种金属将作为布线材料,被用于内存的字线和位线中。

钼和钌的电阻相较于现在应用的钨(W)更低,可进一步压缩 DRAM 线宽。不过钌也存在自身的问题:其在工艺中会反应生成有毒的四氧化钌(RuO4),为维护工作带来新的麻烦。Choi Jeong-dong 认为,三星和 SK 海力士将稍晚一至两个世代引入这两种金属。

而在三星这边,其将进一步扩大 EUV 工艺的应用。三星是三大存储原厂中首先引入 EUV 的企业,已将其应用至字线和位线等层中,预计在 1c nm 中 EUV 应用将扩展至 8-9 层。对于美光,其也将在 1γ nm 节点首次导入 EUV 光刻。

展望未来 10nm 以下制程,Choi Jeong-dong 表示三大厂商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路线以实现进一步微缩,Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用电容器的 1T DRAM 等也是可能方向。

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